Elaborado por: Daniel Antonio Parra Dicillo C.I.: 16.218.771 Daniel Eduardo Marcano Daz C.I.: 19.415.

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Objetivos
Esta prctica tiene como propsito: Reconocer algunas de las caractersticas de los transistores BJT en sus distintas zonas de operacin. Obtener nociones acerca de la polarizacin de los transistores.

Presentacin y Anlisis de Resultados

Caractersticas BTJ 1. Polarizacin BJT: a) Establezca las relaciones entre las grficas obtenidas en la prctica con las suministradas por el fabricante (hoja de datos), comprelas y; con ayuda de su libro de texto y sus clases de teora, explique el significado elctrico (parmetros de redes) de cada una de ellas: Transistor BJT-NPN (Transistor 2N3904):

IB =

VCC VBE R1

VBE = 0.7V R1 = 1M R2 = 2 K

VB = VCC R1 * I B IC = * I B VC = VCC I C * R2

Variamos el valor de la tensin Vcc para los valores propuestos en la tabla de la parte 1 de la prctica.

Cuando el Voltaje VCC es menor a 0.7 V el transistor esta en estado de CORTE. Una vez que supera el voltaje de 0.7V mas la cada de voltaje en la resistencia Rb; entonces, ste pasa al estado ACTIVO. A continuacin, presentamos las Tablas de los Valores Tericos y Prcticos obtenidos para el Transistor BJT-NPN:

NPN Vcc 0,00 V 0,50 V 0,60 V 0,70 V 0,80 V 1,00 V 4,00 V 8,00 V 12,00 V 16,00 V 20,00 V

Tericos Tericos Vb Vc Ib Ic A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,58 V 0,93 V 0,42 A 0,09 mA 0,64 V 3,19 V 3,36 A 0,41 mA 0,66 V 5,92 V 7,34 A 1,04 mA 0,68 V 8,49 V 11,30 A 1,76 mA 0,69 V 10,90 V 15,30 A 2,54 mA 0,69 V 13,30 V 19,30 A 3,38 mA

Ic/Ib 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 71,42 122,02 141,68 155,75 166,01 175,12

Corte Corte Corte Corte Corte Activo Activo Activo Activo Activo Activo

Tabla de los Valores Tericos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT NPN (Tabla N01)

NPN Vcc 0,00 V 0,50 V 0,60 V 0,70 V 0,80 V 1,00 V 4,00 V 8,00 V 12,00 V 16,00 V 20,00 V

Prcticos Vb Vc 0,00 V 0,00 V 0,25 V 0,50 V 0,30 V 0,60 V 0,35 V 0,70 V 0,40 V 0,80 V 0,50 V 1,00 V 0,70 V 2,50 V 0,70 V 4,00 V 0,70 V 5,40 V 0,70 V 6,80 V 0,70 V 8,00 V

Ib 0,00 A 0,25 A 0,30 A 0,35 A 0,40 A 0,50 A 3,30 A 7,30 A 11,30 A 15,30 A 19,30 A

Prcticos Ic 0,00 A 0,00 A 0,00 A 0,00 A 0,00 A 0,00 A 0,75 mA 2,00 mA 3,30 mA 4,60 mA 6,00 mA

Ic/Ib 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 227,27

273,97 292,04 300,65 310,88

Corte Corte Corte Corte Corte Corte Activo Activo Activo Activo Activo

Tabla de los Valores Prcticos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT NPN (Tabla N02)

Tabla y Grfica de la relacin Vce-Ic: Vce (V) 0,00 0,50 0,60 0,70 0,80 1,00 2,50 4,00 5,40 6,80 8,00 Ic (mA) 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,75 2,00 3,30 4,60 6,00

Tabla de los Valores Prcticos de la relacin Vce-Ic del Transistor BJT NPN (Tabla N03)

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Vce-Ic del Transistor BJT NPN
7 6 5 4 3 2 1 0 -1 0 2 4 Vce (V) 6 8 10

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Vce-Ic del Transistor BJT NPN (Grfico N1)

Ic (mA)

Tabla y Grfica de la relacin Vbe-Ic: Vbe (V) 0,00 0,25 0,30 0,35 0,40 0,50 0,70 0,70 0,70 0,70 0,70 Ic (mA) 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,75 2,00 3,30 4,60 6,00

Tabla de los Valores Prcticos de la relacin Vbe-Ic del Transistor BJT NPN (Tabla N04)

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Vbe-Ic del Transistor BJT NPN
7 6 5 4 3 2 1 0 -1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 Vbe (V) 0,5 0,6 0,7 0,8

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Vbe-Ic del Transistor BJT NPN (Grfico N2)

Ic (mA)

Tabla y Grfica de la relacin Ic-(Ic/Ib): Ic (mA) 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,75 2,00 3,30 4,60 6,00

=Ic/Ib 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 227,27 273,97 292,04 300,65 310,88

Tabla de los Valores Prcticos de la relacin Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT NPN (Tabla N05)

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Ic(Ic/Ib) del Transistor BJT NPN
350 300 250 200 150 100 50 0 0 1 2 3 Ic (mA) 4 5 6 7

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT NPN (Grfico N3)

Ic/Ib

Transistor BJT-PNP (Transistor 2N3906):

IB =

VEE VEB R1

VBE = 0.7V R1 = 1M R2 = 2 K

VB = R1 * I B IC = * I B VC = IC * R2

Variamos el valor de la tensin Vcc para los valores propuestos en la tabla de la parte 1 de la prctica.

Cuando el Voltaje Vee es menor a 0.7 V el transistor esta en estado de CORTE. Una vez que supera el voltaje de 0.7V mas la cada de voltaje en la resistencia Rb; entonces, pasa al estado ACTIVO. A continuacin, presentamos las Tablas de los Valores Tericos y Prcticos obtenidos para el Transistor BJT-PNP:

PNP Vee 0,00 V 0,50 V 0,60 V 0,70 V 0,80 V 1,00 V 4,00 V 8,00 V 12,00 V 16,00 V 20,00 V

Tericos Tericos Vb Vc Ib Ic A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,00 V 0,00 V 0,00 A 0,00 mA 0,36 V 0,13 V 0,36 A 0,06 mA 3,31 V 1,33 V 3,31 A 0,66 mA 7,29 V 3,19 V 7,29 A 1,58 mA 11,30 V 5,30 V 11,30 A 2,63 mA 15,30 V 7,60 V 15,30 A 3,77 mA 19,30 V 10,10 V 19,30 A 5,00 mA

Ic/Ib 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 166,66 212,90 216,73 232,74 246,40 259,06

Corte Corte Corte Corte Corte Activo Activo Activo Activo Activo Activo

Tabla de los Valores Tericos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT PNP (Tabla N06)

PNP Vee 0,00 V 0,50 V 0,60 V 0,70 V 0,80 V 1,00 V 4,00 V 8,00 V 12,00 V 16,00 V 20,00 V

Prcticos Vb Vc 0,00 V 0,00 V 0,07 V 0,00 V 0,09 V 0,01 V 0,17 V 0,03 V 0,25 V 0,05 V 0,41 V 0,09 V 3,12 V 0,83 V 7,22 V 2,08 V 11,35 V 3,37 V 15,37 V 4,75 V 19,11 V 6,15 V

Ib 0,00 A 0,07 A 0,09 A 0,17 A 0,25 A 0,41 A 3,12 A 7,22 A 11,35 A 15,37 A 19,11 A

Prcticos Ic 0,00 A 0,00 A 5,00 A 15,00 A 25,00 A 45,00 A 415,00 A 1,04 mA 1,69 mA 2,38 mA 3,08 mA

Ic/Ib 000,00 000,00 55,56 88,24 100,00 109,76 133,01 144,04 148,46 154,52 160,91

Corte Corte Corte Corte Activo Activo Activo Activo Activo Activo Activo

Tabla de los Valores Prcticos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT PNP (Tabla N07)

Tabla y Grfica de la relacin Vec-Ic: Vec (V) 0,00 0,50 0,59 0,67 0,75 0,91 3,17 5,92 8,63 11,25 13,85 Ic (mA) 0,00 0,00 0,005 0,015 0,025 0,045 0,415 1,04 1,69 2,38 3,08

Tabla de los Valores Prcticos de la relacin Vec-Ic del Transistor BJT PNP (Tabla N08)

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Vec-Ic del Transistor BJT PNP
3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 2 4 6 8 Vec (V)
Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Vec-Ic del Transistor BJT PNP (Grfico N4)

Ic (mA)

10

12

14

16

Tabla y Grfica de la relacin Veb-Ic: Veb (V) 0,00 0,43 0,51 0,53 0,55 0,59 0,88 0,78 0,65 0,63 0,89 Ic (mA) 0,00 0,00 0,005 0,015 0,025 0,045 0,415 1,04 1,69 2,38 3,08

Tabla de los Valores Prcticos de la relacin Veb-Ic del Transistor BJT PNP (Tabla N09)

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Veb-Ic del Transistor BJT PNP
3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 0,2 0,4 Veb (V) 0,6 0,8 1

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Veb-Ic del Transistor BJT PNP (Grfico N5)

Nota: La curva negra representa la lnea de tendencia de los valores de la tabla que graficamos, aproximada por medio de un polinomio de orden 2.

Ic (mA)

Tabla y Grfica de la relacin Ic-(Ic/Ib): Ic (mA) 0,00 0,00 0,005 0,015 0,025 0,045 0,415 1,04 1,69 2,38 3,08

=Ic/Ib 000,00 000,00 55,56 88,24 100,00 109,76 133,01 144,04 148,46 154,52 160,91

Tabla de los Valores Prcticos de la relacin Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT PNP (Tabla N10)

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Ic(Ic/Ib) del Transistor BJT PNP
200 150 Ic/Ib 100 50 0 0 0,5 1 1,5 Ic (mA) 2 2,5 3 3,5

Grfica de los Valores Prcticos de la relacin Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT PNP (Grfico N6)

Nota: El transistor PNP opera de una manera similar a la del dispositivo NPN. Las relaciones corriente-voltaje del transistor PNP sern idnticas a las del transistor NPN excepto en que Vbe se tiene que reemplazar por Veb. Para el transistor NPN, las corrientes de base y colector entran al transistor; mientras que, la corriente del emisor sale; siendo esta, igual a la suma de las otras dos. Para el transistor PNP, las corrientes de base y colector salen del transistor; mientras que, la corriente del emisor entra; siendo esta, igual a la suma de las otras dos. Caracterstica Vce Ic (Grficos N1 y N4):

Esta caracterstica Voltaje-Corriente nos define el estado de operacin del transistor dependiendo de la zona en la que se encuentre su Punto de Operacin Q (Vce,Ic) y se conoce como Caracterstica de Emisor Comn. Caracterstica Vbe Ic (Grficos N2 y N5):

Para el grfico N2 correspondiente al transistor NPN, obtuvimos una curva extraordinariamente similar a las mostradas en los libros de textos y hojas de datos suministradas por el fabricante. Esta curva es semejante a la curva de polarizacin de un diodo. Para Vbe por debajo de unos 0,5V, la corriente es insignificante. Asimismo, en la mayor parte del intervalo de corriente normal Vbe se ubica en el intervalo de 0,6V a 0,8V. Un transistor NPN cuya Unin Base-Emisor tenga polarizacin directa operar en el Modo Activo siempre que el voltaje del colector no caiga por debajo del de la base en mas de 0,4V aproximadamente. De lo contrario, el transistor deja el Modo Activo y entra en la Regin de Saturacin de Operacin. De modo similar, el transistor PNP operar en el Modo Activo si la Unin Emisor-Base tiene polarizacin directa y no se permite que el voltaje del colector supere al de la base por mas de 0,4V aproximadamente. De lo contrario, la Unin Colector-Base adquiere polarizacin directa y el transistor PNP entra en la Regin de Saturacin de Operacin. En el grfico N5 apreciamos un comportamiento anormal debido a errores de medicin humano y defectos producidos en los instrumentos de medicin. Sin embargo, graficamos una lnea de tendencia de los valores de la tabla que se ajusta de manera muy similar a la grfica N2. Si hubisemos podido graficar una lnea de tendencia aproximando con una exponencial, hubiese quedado aun mas parecida a la grfica N2. Caracterstica Ic (Ic/Ib) (Grficos N3 y N6):

La expresin Ic/Ib se conoce como Ganancia de Corriente ideal del Emisor Comn (esto es cuando ro ; que es la resistencia asociada al defecto de Early, no est presente) y se denota por la letra griega . Para explicar un poco esta caracterstica Corriente Ganancia de Corriente, debemos considerar un transistor que opera en la regin activa en el punto de operacin Q; es decir, a una corriente de colector Icq, una corriente de base Ibq y un voltaje colector-

emisor Vceq. El cociente entre la corriente del colector y la corriente de la base es la I CQ de DC: DC = I BQ Cuando Ic/Ib es muchsimo mayor que 1 (100 o mayor, por ejemplo), la corriente de base se hace muy pequea en comparacin a las corrientes de colector y emisor; razn por la cual, se desprecia su valor, quedando la aproximacin: I E I C

2. Variacin en la Polarizacin del BJT:

Rp1 es el Potencimetro de 100K cuyo valor real es Rp1 = 104 K 1K Rpc es el Potencimetro de 10K cuyo valor real es Rpc = 9, 09 K 0, 01K 2.1. Con Rpc = 5K fijo Rpc = 4,56 K , valor experimental fijo Tericos Rp1 ( K) 0 60 100 Vb 1,82V 0,86V 0,56V Vc 1,11V 7,42V 11,9V Ve 1,08V 0,20V 0V Vb Experimentales Vc Ve Rp1 ( K) Estado

0 Saturacin 64 Activo 104 Activo Tabla de las Variaciones de Tensiones en el Transistor BJT cuando se vara Rp1 (Tabla N11) 2.2. Con Rp1 = 50 K fijo Tericos Rpc( K) 0 4 10 Experimentales

1,87V 1,16V 1,12V 0,81V 8,74V 0,15V 0,58V 11,81V 0,00V

Rpc( K) Estado 0 Activo 4,55 Activo 9,11 Saturacin Tabla de las Variaciones de Tensiones en el Transistor BJT cuando se vara Rpc (Tabla N12) Vb Vc Ve Vb Vc Ve 1,00V 12,00V 0,33V 0,98V 11,94V 0,30V 1,00V 6,09V 0,33V 0,98V 5,72V 0,30V 0,93V 0,38V 0,26V 1,67V 0,97V 0,93V

b) Para la actividad 2.1 d una explicacin de los fenmenos presentados al variar el valor de cada potencimetro; es decir, comente por qu y de qu forma varan los parmetros del transistor en estudio: Al observar las Tablas N11 y N12 podemos notar como; las variaciones de Rpc , generan cambios mas bruscos entre los valores experimentales y los tericos de las tensiones en el transistor que, las variaciones de Rp1 . Esto significa que el punto de operacin del transistor es mucho ms sensible a las variaciones de Rpc que a las variaciones de Rp1 ; ya que, con solo variar Rpc ; algunas pocas unidades, se generaban grandes cambios en las tensiones; no obstante, al variar Rp1 ; algunas decenas de Ohmnios, no se generaban variaciones notables en las tensiones del transistor respecto a los valores tericos previamente calculados. Por otra parte, el transistor cambia su estado de operacin de Activo a Saturacin cuando aumentamos al mximo la resistencia Rpc . Esto ocurre porque aumenta la cada de tensin en la resistencia Rpc y disminuye la tensin en el colector Vc; mientras que, la tensin en la base Vb no manifiesta cambios muy significativos en comparacin a Vc y; de esta manera, la Unin Base-Colector se polariza directamente porque la tensin en el colector cae por debajo del valor de la tensin en la base (y la Unin Base-Emisor se mantiene directamente polarizada). Para el caso en el que variamos la resistencia Rp1 ocurre lo contrario; esto es, cuando la disminuimos hasta su valor mnimo ( 0K ), es que el transistor cambia su estado de operacin de Activo a Saturacin. Esto ocurre porque la resistencia en la base (resistencia equivalente de Thvenin en la base vista hacia fuera del transistor) disminuye al disminuir Rp1 de la siguiente manera: (3,3K + Rp1 )*(5 K ) Cuando Rp1 la disminuimos hasta cero, la resistencia de (3,3K + Rp1 + 5 K ) Thvenin es mnima y la tensin en la base es mxima porque hay menor cada de tensin en Rth. En este caso circula mayor corriente por la base y por el colector. Como Rpc se mantiene constante; entonces, hay mayor cada de tensin en dicha resistencia y menor tensin Vc. De esta manera se polariza directamente la Unin Base-Colector. Rth = c) Comente acerca de la sensibilidad de Ic y Vce respecto a las variaciones de cada potencimetro en la red con BJT: El punto de operacin de un Transistor BJT es sensible a las variaciones de los diversos parmetros que rigen su funcionamiento; tales como: Ganancia de Corriente del Emisor Comn ( ), Tensin de Polarizacin (Vcc), Tensin en la Unin Base-Emisor (Vbe), Resistencia de la Base, etc. Esto se denomina Sensibilidad del Punto de Operacin del Transistor. Sin embargo; para esta prctica, hemos variado el valor de la Resistencia Rp1 (sta afecta a la Resistencia de la Base (Rb) del equivalente de Thvenin visto desde la Base hacia fuera del transistor, alterando la corriente de la Base Ib y; por lo tanto, la

Corriente del Colector Ic; segn la relacin Ic = * Ib ) y el valor de la Resistencia Rpc (sta afecta a la Corriente del Colector y a la Tensin Colector-Emisor Vce).

Conclusiones
La corriente del colector depende de la corriente de la base. El transistor opera en tres estados: lineal, saturacin y corte. stos dependen de Vce e Ic. Si la tensin Vce es inferior a 0,4V ms cercano estar el transistor a la Zona de Saturacin. Si la corriente Ic tiende a cero, el transistor operar en la Zona de Corte. El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es de valor fijo; sino que, vara produciendo ms o menos corriente en la medida en que hay ms o menos corriente en la base. El Transistor no acumula carga: Toda la corriente que entra a l debe salir. El comportamiento fundamental del transistor es que genera una corriente en el colector que es proporcional a la corriente que entra (NPN) o sale (PNP) por la base, la constante de proporcionalidad se llama la Ganancia de Corriente de Ic Emisor Comn y se indica por = . Ib Una vez logrados los objetivos de esta prctica, sabemos que los transistores BJT pueden operar en uno de tres modos posibles: Corte (ambas uniones polarizadas inversamente), Activo (Unin Base-Emisor polarizada directamente y Unin Base-Colector polarizada inversamente) y Saturacin (ambas uniones polarizadas directamente). Para asegurar una operacin en el modo Activo, el voltaje del colector de un transistor NPN debe mantenerse mas alto que el voltaje de base; mientras que, para un transistor PNP, el voltaje del colector debe ser menor que el de la base.