El Diodo PIN El diodo PIN tiene regiones de tipo p ytipo n fuertemente dopadas, separadas por un regin intrnseca.

Cuando sepolariza inversamente, acta como un condensador casi constante, y cuando se polariza directamente se comporta como una resistencia variable. La resistencia directa de la regin intrnseca disminuye con el aumento de corriente. Como su resistencia directa se puede cambiar variando la polarizacin, se puede utilizar como un dispositivo de modulacin para seales de corriente alterna. Se utiliza en aplicaciones de conmutacin de microondas. El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de p y n se llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n. Debido a su construccin, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin y se vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante. DESCUBRIMIENTO DEL DIODO PIN. En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequea superficie radiante, idnea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los fotodetectores, los diodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin dificultades y ofrecan buenas caractersticas. Sin embargo, no podan aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y 600 nm, y ya en 1966 se dispona de ellos con elevadas prestaciones elctricas. Sin embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da motivo a ensayos con fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977. SIGNIFICADO DEL NOMBRE DEL DIODO PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo el intermedio semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa N de alta resistividad (). El diodo PIN es un diodo que presenta una regin p y n altamente conductoras junto a una zona intrnseca poco conductiva. De ah viene el significado de sus siglas PIN.